（六）p-n结p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿，p-n结隧道效应
（七）金属和半导体的接触金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触
（四）半导体的导电性载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程，电导率的统计理论，强电场下的效应，热载流子，多能谷散射，耿氏效应
（五）非平衡载流子非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式，连续性方程式
一、考试形式（一）闭卷，笔试，考试时间180分钟，试卷总分150分（二）试卷结构第一部分：名词解释，约50分第二部分：简答题，约20分第三部分：计算题、证明题，约80分二、考试内容（一）半导体的电子状态：半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构，III－V族化合物半导体的能带结构，II－VI族化合物半导体的能带结构（二）半导体中杂质和缺陷能级：硅、锗晶体中的杂质能级，III－V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级（三）半导体中载流子的统计分布状态密度，费米能级
（一）半导体的电子状态：半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构，III－V族化合物半导体的能带结构，II－VI族化合物半导体的能带结构
（一）半导体的晶格结构和电子状态1．了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。2．理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。3．掌握半导体中的电子运动规律，理解有效质量的意义。4．理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。5．熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。6．理解硅和锗的能带结构，掌握有效质量的计算方法。7．了解III－V族化合物半导体的能带结构。8．了解II－VI族化合物半导体的能带结构。
（十）半导体的光、热、磁、压阻等物理现象半导体的光学常数，半导体的光吸收，半导体的光电导，半导体的光生伏特效应，半导体发光，半导体激光，热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的玻尔帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用，霍耳效应，磁阻效应，磁光效应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应，声波和载流子的相互作用
三、主要参考书目刘恩科，朱秉升，罗晋生．《半导体物理学》，电子工业出版社，2008。编制单位：中国科学院大学编制日期：2018年6月5日
（二）半导体中杂质和缺陷能级：硅、锗晶体中的杂质能级，III－V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级
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